PMDPB65UP,115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMDPB65UP,115
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
19500
NXP
SOT1118
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMDPB65UP,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
NXP
近两年生产
DFN-6
-
每一片都来自原厂

PMDPB65UP,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT1118
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

PMDPB65UP,115
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
13500
nxp
sot1118
2017+pb
-
原装现货

1/1页 40条/页共22条
1

您是不是要找： PMDPB70EN,115 PMDPB70XP,115 PMDPB70XPE,115 PMDPB80XP,115 PMDPB85UPE,115 PMDPB95XNE,115 PMDPB95XNE2X PMDR-0 PMDR-0-9

PMDPB65UP,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMDPB65UP,115 PDF下载

功能描述
MOSFET Dual P-Channel 20V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PMDPB65UP,115 技术参数

PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN2020D-6 标准包装:1 PMDPB56XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:73 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:170pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMDPB55XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:785pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDPB42UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 3.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:185pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMDR-1 PMDR-10-19 PMDR-2 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99