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NP83C266BDRNA(P83C266BDR/102)

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NP83C266BDRNA(P83C266BDR/102) 技术参数

NP5Q128AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Omneo™ 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP88N04KUG-E1-AZ NP88N04NUG-S18-AY NP88N055KUG-E1-AY NP88N075KUE-E1-AY NP88N075MUE-S18-AY NP89N04MUK-S18-AY NP89N04NUK-S18-AY NP89N04PUK-E1-AY NP89N055MUK-S18-AY NP89N055NUK-S18-AY NP89N055PUK-E1-AY NP8E2D203QE NP8E3D202GE NP8E3D203QE NP8E5D202GE NP8P128A13B1760E NP8P128A13BSM60E NP8P128A13T1760E