NP36P06SLG-E1-AY_代理商_批发/采购【买卖IC网】NP36P06SLG-E1-AY

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NP36P06SLG-E1-AY
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
分立半导体模块

NP36P06SLG-E1-AY
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
分立半导体模块

NP36P06SLG-E1-AY
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
26585
R
TO-252
15+
-
全新原装现货

NP36P06SLG-E1-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEC/RENESAS
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

NP36P06SLG-E1-AY
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Renesas
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

NP36P06SLG-E1-AY
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
10011
N
TO-252-2
13+
-
不止网址数量.以电话为准

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1

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功能描述
MOSFET P-CH -60V -36A TO-252
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

NP36P06SLG-E1-AY 技术参数

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:770mA 电流 - 饱和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±30% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:30 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:96MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:130 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:15MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP48N055MLE-S18-AY NP48N055NLE-S18-AY N-P50 NP50P03YDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N055SUG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY NP55N03SUG-E1-AY NP55N04SUG-E1-AY NP55N055SDG-E1-AY NP55N055SUG-E1-AY N-P-5DV(40) N-P-5DW(40) NP5-MQ000 NP5-MQ000B

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