NP100P04PDG-E1-AY

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说明
操作

NP100P04PDG-E1-AY
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐、张先生
电话：1353040899018475619159
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
35000
RENESAS/瑞萨
TO-263
25+
-
原厂原装现货支持实单

NP100P04PDG-E1-AY
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
集成电路（IC）

NP100P04PDG-E1-AY
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
集成电路（IC）

NP100P04PDG-E1-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Renesas
MP-25ZPTO-263
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

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功能描述
MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

NP100P04PDG-E1-AY 技术参数

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:27MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:60MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:770mA 电流 - 饱和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±30% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:30 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:96MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:130 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:15MHz 等级:- 工作温度:-25°C ~ 105°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.197" 长 x 0.197" 宽（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.079"（2.00mm）标准包装:10 NP11 NP1100SAMCT3G NP1100SAT3G NP1100SBMCT3G NP1100SBT3G NP1100SCMCT3G NP1100SCT3G NP110N03PUG-E1-AY NP110N04PDG-E1-AY NP110N04PUG-E1-AY NP110N04PUJ-E1B-AY NP110N04PUK-E1-AY NP110N055PUG-E1-AY NP110N055PUG-E2-AY NP110N055PUJ-E2B-AY NP110N055PUK-E1-AY NP1111510000G NP1211510000G