NANDBBR6E9

配单专家企业名单

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说明
操作

NANDBBR6E9AZCDSF
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
SAMSUNG
BGA
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

NANDBBR6E9AZCD5
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
37
ST/Micron
BGA
10+
-
自己库存欢迎咨询

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NANDBBR6E9 技术参数

NANDAAR4N4AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 2G SDR NAND512W4A0AN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND512W3A2SZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MICNAND512W3A2SZA6E 512MB NAND FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NANO100LD2BN NANO100LD3BN NANO100LE3BN NANO100NC2BN NANO100ND2BN NANO100ND3BN NANO100NE3BN NANO100SC2BN NANO100SD2BN NANO100SD3BN NANO100SE3BN NANO102LB1AN NANO102LC2AN NANO102SC2AN NANO102ZB1AN NANO102ZC2AN NANO110KC2BN NANO110KD2BN