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NAND02GR3B2CZA6F

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  • NAND02GR3B2CZA6F
    NAND02GR3B2CZA6F

    NAND02GR3B2CZA6F

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • 原厂品牌

  • 标准封装

  • 08+

  • -

  • NAND02GR3B2CZA6F
    NAND02GR3B2CZA6F

    NAND02GR3B2CZA6F

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • 2 Gb. NAND flash tech. F7

  • 标准封装

  • 08+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • NAND02GR3B2CZA6F
    NAND02GR3B2CZA6F

    NAND02GR3B2CZA6F

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 9756

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  • 15+

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  • 热卖产品，原装进口，价格优势，欢迎咨询！

  • NAND02GR3B2CZA6F
    NAND02GR3B2CZA6F

    NAND02GR3B2CZA6F

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 3600

  • ST

  • BGA

  • 08+

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  • 原装现货/特价

  • NAND02GR3B2CZA6F
    NAND02GR3B2CZA6F

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  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯先生/赵小姐

    电话：0755-83665813

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B

    资质：营业执照

  • 3509

  • ST

  • FBGA

  • 07+/08+

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  • 原装正品自家现货

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  • 制造商
  • Micron Technology Inc
  • 功能描述
  • FLASH PARALLEL 1.8V 2GBIT 256M X 8 25US 63VFBGA - Tape and Reel
NAND02GR3B2CZA6F 技术参数
  • NAND02GAH0LZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND02GAH0IZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 NAND01GW4B2AN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F
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