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NAND02GR3B2CZA6E
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
2 Gb. NAND flash tech. F7
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

NAND02GR3B2CZA6E
北京元坤伟业科技有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
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NAND02GR3B2CZA6E
深圳市芯驰科技有限公司
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联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
9756
ST
BGA63
15+
-
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NAND02GR3B2CZA6E 技术参数

NAND02GAH0LZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND02GAH0IZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND01GW4B2AN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F

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