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MT46V16M16TG-5BIT

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 深圳市芯驰科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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MT46V16M16TG-5BIT 技术参数
  • MT46V16M16TG-5B:MTR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 66TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:256M(16M x 16) 速度:5ns 接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66-TSOP 标准包装:1 MT46V16M16TG-5B:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 66TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 MT46V16M16TG-5B IT:M 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.6V 66-Pin TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 DDR SDRAM PLASTIC IND TEMP TSOP 2.5V - Trays MT46V16M16P-75:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT46V16M16P-75:F 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869 MT46V16M16TG-75:F MT46V16M16TG-75:F TR MT46V16M8P-6T IT:D TR MT46V16M8P-6T:D MT46V16M8P-6T:D TR MT46V16M8P-6T:DTR MT46V16M8P-6TL:DTR MT46V16M8P-75:D MT46V16M8P-75:D TR MT46V16M8TG-6T IT:D TR MT46V16M8TG-6T L:D TR MT46V16M8TG-6T:D TR MT46V16M8TG-75:D MT46V16M8TG-75:D TR MT46V256M4P-6T:A MT46V256M4P-6T:A TR MT46V256M4P-75:A MT46V256M4P-75:A TR
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