MSM7732-01LAE03B

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MSM7732-01LAE03B
甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
8000
OKI
QFN
2006pb
-
自家现货库存..82579179

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MSM7732-01LAE03B 技术参数

MSM51V18165F-60T3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP MSM51V18165F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并联电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 MSM51V18160F-60T3-K7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MSM5118165F-60T3K-MT 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MSM5118165F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并联电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 MSMA152P1H MSMA152S1G MSMA152S1H MSMA202P1C MSMA202P1G MSMA202P1H MSMA202S1G MSMA202S1H MSMA302P1C MSMA302P1G MSMA302P1H MSMA302S1G MSMA302S1H MSMA402P1D MSMA402P1G MSMA402P1H MSMA402S1G MSMA402S1H