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MLZ2012N3R3LT000

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  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 说明
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  • MLZ2012N3R3LT000
    MLZ2012N3R3LT000

    MLZ2012N3R3LT000

  • 深圳市崧晔达科技有限公司
    深圳市崧晔达科技有限公司

    联系人：苑小姐

    电话：13926591096

    地址：深圳市福田区新亚洲二期N1A160

    资质：营业执照

  • 2635

  • TDK

  • N/A

  • 2416+

  • -

  • 只做原装，实单来谈

  • MLZ2012N3R3LT000
    MLZ2012N3R3LT000

    MLZ2012N3R3LT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十，百分百正品

  • MLZ2012N3R3LT000
    MLZ2012N3R3LT000

    MLZ2012N3R3LT000

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 2520

  • TDK

  • con

  • 24+

  • -

  • 电感器

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
MLZ2012N3R3LT000 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
MLZ2012N3R3LT000 PDF下载
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLZ
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 有效
  • 类型
  • 多层
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 750mA
  • 电流 - 饱和值
  • 130mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻（DCR）
  • 195 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • 90MHz
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -55°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试
  • 2MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 0805（2012 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安装（最大值）
  • 0.041"（1.05mm）
  • 标准包装
  • 1
MLZ2012N3R3LT000 技术参数
  • MLZ2012N2R2LTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:170mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:156 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 MLZ2012N2R2LT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:170mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:156 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:120MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 MLZ2012N220LTD25 功能描述:22μH Shielded Multilayer Inductor 300mA 871 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:70mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:871 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLZ2012N220LT000 功能描述:22μH Shielded Multilayer Inductor 300mA 871 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:70mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:871 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.057"（1.45mm） 标准包装:1 MLZ2012N1R5LTD25 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 900mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:190mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:130 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm） 标准包装:1 MM01039 MM01075 MM023C102KCZ2A MM023C103KCZ2A MM02ZC223KCZ2A MM031A100JCT2A MM031A220JCT2A MM031A330JCT2A MM031C103KCZ2A MM031C221KCZ2A MM031C222KCZ2A MM033C104KCZ2A MM035A101JCT2A MM035C103KCZ2A MM035C104KCZ2A MM035C223KCZ2A MM035C473KCZ2A MM03ZC224KCZ2A
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