M5M531632F-26GKF9D

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M5M531632F-26GKF9DR2
深圳市时兴宇电子有限公司
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联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
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甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
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M5M531632F-26GKF9DR2
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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M5M531632F-26GKF9D 技术参数

M5M5256DFP-70GI#BM 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M5LV-512/256-7SAI 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-7SAC 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-6SAC 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M5LV-512/256-20SAI 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAM HI DENSITY CPLD RoHS:否制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 M6,TRGR M6,TRGY M6,TRRD M60 M60/2 M60100 M602-025.0M M602-040.0M M602-049.152M M6020C-2D M6020C-2S M60-30 M6035C-E3/45 M6035P-E3/45 M6044-2-1 M6044-2-3 M6044-3-1 M6044-3-2