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深圳市一线半导体有限公司
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M29W008ET-70N6 技术参数

M29W008AT120N6T 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800FT5AN6F2 功能描述:IC FLASH 8MB 55NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29F800FT5AN6E2 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE 5V - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP M29F800FT5AM6F2 TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 55NS 44SO M29F800FT55N3F2 TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP M29W040B70N1 M29W040B70N6E M29W040B90K1 M29W040B90K1E M29W040B90K6 M29W040B90N1 M29W064FB6AZA6E M29W064FB6AZA6F TR M29W064FB70N3E M29W064FB70N3F TR M29W064FT6AZA6E M29W064FT6AZA6F TR M29W064FT70N3E M29W064FT70N3F TR M29W128FH70N6E M29W128FH70ZA6E M29W128FL70N6E M29W128FL70N6F

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