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LM5111-1MXNOPB

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LM5111-1MXNOPB
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
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LM5111-1MXNOPB 技术参数

LM5111-1MX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-1MX 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-1M/NOPB 功能描述:功率驱动器IC Dual 5A Compound Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-1M 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5110-3SDX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-2MY/NOPB LM5111-2MYX LM5111-2MYX/NOPB LM5111-3M LM5111-3M/NOPB LM5111-3MX LM5111-3MX/NOPB LM5111-3MY LM5111-3MY/NOPB LM5111-3MYX LM5111-3MYX/NOPB LM5111-4M/NOPB LM5111-4MX/NOPB LM5111-4MY/NOPB LM5111-4MYX/NOPB LM5112MY LM5112MY/NOPB LM5112MYX