L64005A/V_代理商_批发/采购【买卖IC网】L64005A/V

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说明
操作

L64005A/V
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
6740
LSI
QFP-160
22+
-
原厂原装现货

L64005A/V
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
LSI
QFP
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

L64005A/V
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
LSILOGI
QFP
22+
-
全新原装现货供应

L64005A/V
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
LSILOGIG
QFP
15+
-
原装正品，假一罚十

L64005A/V(WLC13913)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
LSI
原厂封装
OO13
-

L64005A/V
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
LSILOGIG
QFP
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

L64005A/V
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3179
LSI
QFP
2233+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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L64005A/V 技术参数

L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6398DTR 功能描述:功率驱动器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6398D 功能描述:功率驱动器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6395D 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:100 L6472HTR L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D