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JANS1N6117A

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  • JANS1N6117A
    JANS1N6117A

    JANS1N6117A

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人：张小姐/Vivianvi

    电话：0755-83286481

    地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • B

  • 23+

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  • 微芯专营优势产品

  • JANS1N6117A
    JANS1N6117A

    JANS1N6117A

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • SEMTECH/美国升特

  • SMD

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  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • JANS1N6117A
    JANS1N6117A

    JANS1N6117A

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • SEMTECH

  • SMD

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货！

  • JANS1N6117A
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    JANS1N6117A

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

  • SEMTECH

  • SMD

  • 18+

  • -

  • 优势库存，原装现货

  • JANS1N6117A
    JANS1N6117A

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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

    电话：18320850923

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 50

  • SEMTECH/美国升特

  • SMD

  • 1447

  • -

  • 真芯合作锐意进取

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Bi-Dir 22.8V 500W 2-Pin Case E
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Waffle Pack
JANS1N6117A 技术参数
  • JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 4.74V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 4.74V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/586 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:70pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR
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