IXTX17N120L

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IXTX17N120L
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3432
IXYS
TO-247
2012+
-
只做原装正品。

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1

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功能描述
MOSFET 17 Amps 1200V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

IXTX17N120L 技术参数

IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXTX4N300P3HV IXTX550N055T2 IXTX5N250 IXTX600N04T2 IXTX60N50L2 IXTX6N200P3HV IXTX8N150L IXTX90N25L2 IXTX90P20P IXTY01N100 IXTY01N100D IXTY01N80 IXTY02N120P IXTY02N50D IXTY06N120P IXTY08N100D2 IXTY08N100P IXTY08N120P