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配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

IXDF602D2TR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
IXYS Integrated Circuits
标准封装
16+
-
假一罚十

IXDF602D2TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
IXYS INTE
1521+
-
全新原装现货

IXDF602D2TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
8-VDFN 裸露焊盘
12+
-
授权分销现货热卖

IXDF602D2TR
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
IXYS Integrated Circuits
8-DFN-EP
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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功能描述
2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
50
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
40ns
电流 - 峰
9A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
4.5 V ~ 35 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商设备封装
TO-263
包装
管件

IXDF602D2TR 技术参数

IXDF504SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504SIA 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504PI 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 40V 2.5 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF504D1 功能描述:功率驱动器IC 4 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXDF604SITR IXDH20N120 IXDH20N120D1 IXDH30N120 IXDH30N120D1 IXDH35N60B IXDH35N60BD1 IXDI402PI IXDI402SI IXDI402SIA IXDI404PI IXDI404SI IXDI404SI-16 IXDI404SIA IXDI409CI IXDI409PI IXDI409SI IXDI409SIA