IXA4IF1200UC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

IXA4IF1200UC
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

IXA4IF1200UC
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
26008
IXYS/艾赛斯
TO-252
24+
-
原装正品华强现货

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1

您是不是要找： IXA531L4 IXA531L4T/R IXA531S10 IXA531S10T/R IXA55I1200HJ IXA60IF1200NA IXA611M6 IXA611M6T/R IXA611P7

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功能描述
IGBT 晶体管 XPT IGBT Copack
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

IXA4IF1200UC 技术参数

IX9908NTR 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX9908N 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX6R11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXA611S3 IXA611S3T/R IXA70I1200NA IXA90IF650NA IXB200I600NA IXB611P1 IXB611S1 IXB611S1T/R IXB80IF600NA IXBA14N300HV IXBD4410PI IXBD4410SI IXBD4411PI IXBD4411SI IXBF10N300C IXBF12N300 IXBF14N250 IXBF15N300C