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IRG4BC30FDSTR

配单专家企业名单
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  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • IR

  • D2PAK

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IR

  • TO-263

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号.原装正品现货！

  • IRG4BC30FDSTRPBF
    IRG4BC30FDSTRPBF

    IRG4BC30FDSTRPBF

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人：李燕兵

    电话：82525918

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质：营业执照

  • 6000

  • IR

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货供应

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 晶体管

  • IRG4BC30FDSTRPBF
    IRG4BC30FDSTRPBF

    IRG4BC30FDSTRPBF

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 141

  • IR

  • TO-263

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品。

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • IR

  • 标准封装

  • 7+

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • IR

  • 标准封装

  • 最新

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • IR

  • 标准封装

  • 7+

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • D2PAK

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 2375

  • INTERNATI

  • REEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • IRG4BC30FDSTRRP
    IRG4BC30FDSTRRP

    IRG4BC30FDSTRRP

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 800

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主营优势

  • 1904

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • IRG4BC30FDSTRPBF
    IRG4BC30FDSTRPBF

    IRG4BC30FDSTRPBF

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯先生/赵小姐

    电话：0755-83665813

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B

    资质：营业执照

  • 141

  • IR

  • TO-263

  • 05+

  • -

  • 北京原装无铅现货

  • 1/1页 40条/页 共24条 
  • 1
IRG4BC30FDSTR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
IRG4BC30FDSTR 技术参数
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRG4BC30K IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KDSTRLP IRG4BC30KD-STRR IRG4BC30KDSTRRP IRG4BC30KPBF IRG4BC30K-S IRG4BC30K-SPBF IRG4BC30K-STRLP IRG4BC30K-STRRP IRG4BC30S IRG4BC30SPBF IRG4BC30S-S IRG4BC30S-SPBF IRG4BC30S-STRLP IRG4BC30U IRG4BC30UDPBF
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