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IRFH8318TR2PBF

配单专家企业名单
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  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：张育豪 13360528695

    电话：0755-23607487

    地址：深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质：营业执照

  • 17805

  • IR

  • PQFN-8L 5*6

  • 22+

  • -

  • 原厂原装现货

  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 10

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 晶体管

  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人：吴

    电话：18724450645

    地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 200

  • INFINEON

  • con

  • 25+

  • -

  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格h...

  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • IR

  • 近两年生产

  • DFN-8

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 930

  • INTERNATI

  • REEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • IRFH8318TR2PBF
    IRFH8318TR2PBF

    IRFH8318TR2PBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IR

  • PQFN-8L

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET MOSFT 30V 50A 3.1mOhm 21nC Qg
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRFH8318TR2PBF 技术参数
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFH8334TRPBF IRFH8337TR2PBF IRFH8337TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHE4250DTRPBF IRFHM3911TRPBF IRFHM4226TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM7194TRPBF IRFHM792TR2PBF IRFHM792TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM830DTR2PBF IRFHM830DTRPBF IRFHM830TR2PBF IRFHM830TRPBF
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