GL12T-GS18

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说明
操作

GL12T-GS18
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
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功能描述
ESD 抑制器 Dual Diode 12Vrwm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
通道
8 Channels
击穿电压
8 V
电容
45 pF
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
uQFN-16
功率耗散 Pd
工作温度范围
- 40 C to + 85 C

GL12T-GS18 技术参数

GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:11μH 容差:±10% 额定电流:115mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:7 欧姆不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.182"?长 x 0.072" 方椎体（4.62mm x 1.83mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL130F33CET GL130F33IDT GL130F33IET GL130F35CDT GL130F35CET GL130F35IDT GL130F35IET GL135F23CDT GL135F23CET GL135F23IDT GL135F23IET GL135F33CDT GL135F33CET GL135F33IDT GL135F33IET GL135F35CDT GL135F35CET GL135F35IDT