GL1117-1.8ST3T

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GL1117-1.8ST3T
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
8650
GAMMA
SOT-223
25+
-
全新原装正品现货，价格优势，假一罚十

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GL1117-1.8ST3T 技术参数

GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:11μH 容差:±10% 额定电流:115mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:7 欧姆不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.182"?长 x 0.072" 方椎体（4.62mm x 1.83mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL111F35CET GL111F35IDT GL111F35IET GL120F23CDT GL120F23CET GL120F23IDT GL120F23IET GL120F33CDT GL120F33CET GL120F33IDT GL120F33IET GL120F35CDT GL120F35CET GL120F35IDT GL120F35IET GL122E5J GL122E9J GL122F23CDT