FSSD07BQXCT-

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FSSD07BQXCT- 技术参数

FSSD07BQX 功能描述:多路器开关 IC 1bit/4bit SD/SDIO MMC Dual Hst Mltplxr RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 开关数量:4 开启电阻（最大值）:7 Ohms 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 传播延迟时间:0.25 ns 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V 工作电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UQFN-16 FSSD06UMX 功能描述:开关 IC - 各种 Multiplexer 24-Pin UMLP EP RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 开启电阻（最大值）: 电源电压-最大:4.4 V 电源电压-最小:2.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WLCSP-9 封装:Reel FSSD06BQX 功能描述:开关 IC - 各种 SD/SDIO and MMC 6PDT 2 Port Multiplexer RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 开启电阻（最大值）: 电源电压-最大:4.4 V 电源电压-最小:2.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WLCSP-9 封装:Reel FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8 FST120100 FST120150 FST12020 FST120200 FST12030 FST12035