FDD6N50TM-WS

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

FDD6N50TM-WS
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
12500
ONSEMI/安森美
DPAK
2026+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

FDD6N50TM-WS
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
8385
onsemi
TO-252AA
2023+
-
原装正品现货，假1罚100

FDD6N50TM-WS
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： FDD7030BL FDD770N15A FDD7N20TM FDD7N25LZTM FDD7N60NZTM FDD8424H FDD8424H_F085 FDD8424H_F085A FDD8424H-F085A

FDD6N50TM-WS PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDD6N50TM-WS 技术参数

FDD-50ST2/1-LF 功能描述:D-SUB 50 SOD FILTERED TIN 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 FDC6901L 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDD8426H FDD8444 FDD8444_F085 FDD8444-F085 FDD8444L FDD8444L_F085 FDD8444L-F085 FDD8445 FDD8445_F085 FDD8445-F085 FDD8447L FDD8447L_F085 FDD8447L-F085 FDD8451 FDD8453LZ FDD8453LZ_F085 FDD8453LZ-F085 FDD850N10L