FDD5N50TM-WS

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FDD5N50TM-WS
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
2500
onsemi
TO-252AA
2023+
-
原装正品现货，假1罚100

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FDD5N50TM-WS 技术参数

FDD-50ST2/1-LF 功能描述:D-SUB 50 SOD FILTERED TIN 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 FDC6901L 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDD6606 FDD6612A FDD6630A FDD6632 FDD6635 FDD6637 FDD6637_F085 FDD6637-F085 FDD6670A FDD6670AL FDD6670AS FDD6672A FDD6676AS FDD6680 FDD6680A FDD6680AS FDD6682 FDD6685