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DDTC114YCA-FDICT

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DDTC114YCA-FDICT
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
12500
DIODES/美台
SOT23
2025+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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您是不是要找： DDTC114YE-7 DDTC114YE-7-F DDTC114YKA-7-F DDTC114YLP-7 DDTC114YUA-7 DDTC114YUA-7-F DDTC115ECA-7 DDTC115ECA-7-F DDTC115EE-7

DDTC114YCA-FDICT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DDTC114YCA-FDICT 技术参数

DDTC114WUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:24 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTC114WE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:24 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTC114TE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTC114GE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTC113ZE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:1k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTC115EE-7-F DDTC115EKA-7-F DDTC115EUA-7 DDTC115EUA-7-F DDTC115GCA-7 DDTC115GCA-7-F DDTC115GE-7 DDTC115GE-7-F DDTC115GKA-7-F DDTC115GUA-7 DDTC115GUA-7-F DDTC115TCA-7 DDTC115TCA-7-F DDTC115TE-7 DDTC115TE-7-F DDTC115TKA-7-F DDTC115TUA-7 DDTC115TUA-7-F