CY6264-70SNXCCY

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CY6264-70SNXCCY 技术参数

CY6264-70SNXC 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V STD PWR 8KX8 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY6264-70SNXAT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V STD PWR 8KX8 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY6264-70SNXA 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V STD PWR 8KX8 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY6264-70SNC 功能描述:IC SRAM 64KBIT 70NS 28SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:MoBL® 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并联电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 CY6264-55SNXIT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V STD PWR 8KX8 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY74FCT138ATQCT CY74FCT138ATSOC CY74FCT138ATSOCG4 CY74FCT138ATSOCT CY74FCT138CTQCT CY74FCT138CTQCTE4 CY74FCT138CTSOC CY74FCT138CTSOCT CY74FCT138CTSOCTE4 CY74FCT138CTSOCTG4 CY74FCT138TQCT CY74FCT157ATD CY74FCT157ATDE4 CY74FCT157ATDG4 CY74FCT157ATDR CY74FCT157ATQCT CY74FCT157ATSOC CY74FCT157ATSOCT