CSD86350Q5DEVM-604_代理商_批发/采购【买卖IC网】CSD86350Q5DEVM-604

配单专家企业名单

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说明
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CSD86350Q5DEVM-604
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD86350Q5DEVM-604
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

CSD86350Q5DEVM-604
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
品牌IC供应商电话010-621049...

CSD86350Q5DEVM-604
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20
TEXAS INS
1521+
-
全新原装现货

CSD86350Q5DEVM-604
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2600
原厂原装
原厂原装
24+
-
授权代理商

CSD86350Q5DEVM-604
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
TIS
原厂标准封装
n/a
-
原装现货特价，停产偏冷优势供应！数量需确...

CSD86350Q5DEVM-604
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
6700
TI
18+
-
原装进口，诚信经营

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1

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功能描述
电源管理IC开发工具 Hi Density,Hi Crrnt Pwr Supply Sol
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
产品
Evaluation Kits
类型
Battery Management
工具用于评估
MAX17710GB
输入电压
输出电压
1.8 V

CSD86350Q5DEVM-604 技术参数

CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 14A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效主要用途:DC/DC，步降输出和类型:1，非隔离功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:5A 电压 - 输入:9 V ~ 13.2 V 稳压器拓扑:降压频率 - 开关:500kHz 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 标准包装:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 2A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:12-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:12-DSBGA（1.53x1.98）标准包装:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2?N 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.4 毫欧 @ 10A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT