CIG22W2R2MNE

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CIG22W2R2MNE
深圳市钧凌科技有限公司
深圳市钧凌科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：18129868172
地址：华强北街道上步工业区304栋西座509
12000
SAMSUNG/三星
SMD
25+
-
原装现货

CIG22W2R2MNE
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
21000
SAMSUNG
3K/REEL
10+
-
公司现货!只做原装!

CIG22W2R2MNE
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SAMSUNG
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CIG22W2R2MNE
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
6455
SAMSUNG
SMD
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： CIG32H2R2MNE CIG32W1R0MNE CIGT160806UM1R0MNC CIGT160808XMR24MNC CIGT1608R6EH1R0MNC CIGT201206EH1R0MNE CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE

CIG22W2R2MNE PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CIG22W2R2MNE 技术参数

CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:203 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:80 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE