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BZX79-B7V5.143

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

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BZX79-B7V5.143 技术参数
  • BZX79-B7V5,143 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B7V5,133 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-B7V5,113 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79B7V5 A0G 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79-B75,143 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79C10 A0G BZX79-C10,113 BZX79-C10,133 BZX79-C10,143 BZX79C10_T50A BZX79C10_T50R BZX79C10-T50A BZX79C11 BZX79C11 A0G BZX79-C11,113 BZX79-C11,133 BZX79-C11,143 BZX79C11_T50A BZX79C11_T50R BZX79C11-T50A BZX79C12 BZX79C12 A0G BZX79-C12,113
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