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BZX55B4V7TAP

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BZX55B4V7TAP 技术参数

BZX55B4V7 A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55B4V3-TR 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B4V3-TAP 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B4V3 A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55B47-TR 功能描述:Zener Diode 47V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B5V1-TAP BZX55B5V1-TR BZX55B5V6 A0G BZX55B5V6-TAP BZX55B5V6-TR BZX55B62 A0G BZX55B62-TAP BZX55B62-TR BZX55B68 A0G BZX55B68-TAP BZX55B68-TR BZX55B6V2 A0G BZX55B6V2-TAP BZX55B6V2-TR BZX55B6V8 A0G BZX55B6V8-TAP BZX55B6V8-TR BZX55B75 A0G