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BYV133F
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PH
原厂封装
05+
-

BYV133F-45
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
600
PHILIPS
TO-220
假一赔十！
-
绝对原装现货！

BYV133F
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PH
原厂封装
05无铅
-
全新原装100%正品保证质量

BYV133F-45
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
1200
◤全新◥PH
TO-220
00+
-

BYV133F-35
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
PH
TO-
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
Rectifier diodes schottky barrier

BYV133F 技术参数

BYV12-TR 功能描述:Diode Avalanche 100V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV12-TAP 功能描述:Diode Avalanche 100V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV10X-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:175°C（最大）基本零件编号:* 标准包装:1,000 BYV10EX-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,000 BYV10ED-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,500 BYV25D-600,118 BYV25F-600,127 BYV25FB-600,118 BYV25FD-600,118 BYV25FX-600,127 BYV25G-600,127 BYV25X-600,127 BYV26A-TAP BYV26A-TR BYV26B-TAP BYV26B-TR BYV26C-TAP BYV26C-TR BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/73 BYV26DGPHE3/54 BYV26DGPHE3/73 BYV26D-TAP

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