BVT-5M5QT4E

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BVT-5M5QT4E
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5000
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BVT-5M5QT4E 技术参数

BVSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:36pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BVSS138LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BVSS123LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BV-SDS-1A 功能描述:SYSTEM DEV BLUEVOX1 SOLUTION 制造商:csr plc 系列:BlueVOX1 零件状态:过期类型:收发器; 传统蓝牙? 频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:BlueCore4-音频 ROM 所含物品:板标准包装:1 BVSD-2032-SM 功能描述:VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:Snap Dragon 零件状态:有效电池类型，功能:纽扣电池，座样式:座（开口）电池尺寸:钮扣电池，20.0mm 电池数:1 电池系列:2032 安装类型:PCB，表面贴装端子类型:SMD（SMT）接片板上高度:1.110"（28.19mm）工作温度:-40°C ~ 260°C 标准包装:100 BVX-103-S BVX-200-BLM BVX-ADT BVX-ARM BVX-ARML BVX-BCK BVX-IADT BVX-NOZ1 BW1.5I-D BW1442N BW1442NS BW1443 BW1443S BW-21784-000 BW-21789-000 BW-21810-000 BW-21814-000 BW-2224