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BULB742C-1

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
  • 操作
  • BULB742C-1
    BULB742C-1

    BULB742C-1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • BULB742C-1
    BULB742C-1

    BULB742C-1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BULB742C-1
    BULB742C-1

    BULB742C-1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

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  • 1
BULB742C-1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
BULB742C-1 技术参数
  • BULB7216T4 功能描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 80mA,800mA 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4 @ 2A,5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULB7216-1 功能描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 80mA,800mA 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4 @ 2A,5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 BULB49DT4 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLTAGE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 800mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4 @ 7A,10V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULB39D-1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.1V @ 500mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 BULB128-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1A,4A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):14 @ 2A,5V 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 BULT118 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2 BU-P1081-36-0 BU-P1081-36-2 BU-P1081-36-4 BU-P1166-12-0 BU-P1166-12-2 BU-P1166-24-0 BU-P1166-24-2
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