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BSZ6-SS-112L

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BSZ6-SS-112L
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
12500
AFE
DIP
2025+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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BSZ6-SS-112L 技术参数

BSZ520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:890pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ520N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:890pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ440N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:640pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:29W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ440N10NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:640pF @ 50V 功率 - 最大值:29W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ42DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:33.8W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:425 毫欧 @ 2.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8