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BSZ16DN25NS3G

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 329193

  • INFINEON

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  • 24+

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  • BSZ16DN25NS3G
    BSZ16DN25NS3G

    BSZ16DN25NS3G

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 场效应管

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 329193

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货！

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：王

    电话：18724450645

    地址：中国上海

  • 329193

  • INFINEON

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  • 24+

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  • 优势库存，原装正品

  • BSZ16DN25NS3G
    BSZ16DN25NS3G

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • PG-TSDSON-8

  • 22+

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  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

    BSZ16DN25NS3GATMA1

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 329193

  • INFINEON

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质：营业执照

  • 329193

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  • 优势库存，原装正品

  • BSZ16DN25NS3GATMA1
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

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  • TO-3P

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  • 原装现货

  • BSZ16DN25NS3G
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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

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  • INFINEON

  • QFN-8

  • 新年份

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  • BSZ16DN25NS3GATMA1
    BSZ16DN25NS3GATMA1

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  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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  • INFINEON

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BSZ16DN25NS3G 技术参数
  • BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 标准包装:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.9A（Ta），31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ165N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.9A（Ta），31A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:840pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 标准包装:1 BSZ160N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 50V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 标准包装:1 BSZ15DC02KDHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.1A， 3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A， 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1
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