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BSZ105N04NSGATMA1

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BSZ105N04NSGATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS)
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

BSZ105N04NSGATMA1 技术参数

BSZ105N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ100N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1075pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ100N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 BSZ100N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ100N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1