BSS84T1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS84T116
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
ROHM
con
24+
-
场效应管

BSS84T116
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
ROHM
con
24+
-
场效应管

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您是不是要找： BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236AB

BSS84T1 技术参数

BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BSS84PW 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS84PL6433HTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS84PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115