BSS670S2LL6327HTSA1

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BSS670S2LL6327HTSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
英飞凌
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BSS670S2LL6327HTSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
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一级代理.原装特价现货！

BSS670S2LL6327HTSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
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代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

BSS670S2LL6327HTSA1 技术参数

BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效标准包装:10,000 BSS670S2LH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:540mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 270mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS670S2L H6327 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:540mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 270mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS670S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:540mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 270mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS64LT1G 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR