BSS138_G

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BSS138_G
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集好芯城
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电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
36000
FAIRCHILD/仙童
NA
22+
-
原厂原装现货

BSS138_G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FSC
SOT-23
最新批号
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BSS138_G 技术参数

BSS138_F085 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138_D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS131L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS131H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327