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BSS126H6906XTSA1
优势
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
6000
INFINEON
-

BSS126H6906XTSA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
2766
Infineon Technologies
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

BSS126H6906XTSA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
3297
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSS126H6906XTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
3297
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSS126H6906XTSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS126H6906XTSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
QFP
20+
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原装现货

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

BSS126H6906XT 技术参数

BSS126H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS126H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS126 H6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS126 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS126 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS127SSN-7 BSS131 H6327 BSS131E6327 BSS131H6327XTSA1 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX

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