BSR302NL6327HTSA1_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSR302NL6327HTSA1

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BSR302NL6327HTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSR302NL6327HTSA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
17876
INFINEON
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

BSR302NL6327HTSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSR302NL6327HTSA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSR302NL6327HTSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
英飞凌
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BSR302NL6327HTSA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BSR302NL6327HTSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SC-59
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59

BSR302NL6327HTSA1 技术参数

BSR30,115 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BSR30 标准包装:1 BSR202NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1147pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 3.8A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SC-59 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSR202N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1147pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR-2 0.030X12X12 功能描述:ECCOSORB BSR-2 12X12X0.030 制造商:laird technologies emi 系列:ECCOSORB? 零件状态:有效形状:片状厚度 - 总:0.030"（0.76mm）宽度:12.008"（305.00mm）长度:12.008"（305.00mm）粘合剂:压敏胶合剂（PSA）温度范围:- 标准包装:1 BSR19A,215 功能描述:TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BSR19 标准包装:1 BSR33,135 BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1

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