BSP3-277

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSP3-277
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

BSP3-277
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Thomas Research Products
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

1/1页 40条/页共5条
1

您是不是要找： BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA

BSP3-277 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSP3-277 PDF下载

功能描述
SURGE PROTECTOR-277V DRIVER
RoHS
是
类别
过电压，电流，温度装置 >> 照明保护
系列
BSP3
标准包装
1
系列
-
电压 - 工作
15V
电压 - 箝位
-
技术
混合技术
功率（瓦特）
-
电路数
1
应用
LED 保护
封装/外壳
DO-214AA，SMB
供应商设备封装
DO-214AA（SMB）
包装
Digi-Reel®
其它名称
497-13082-6

BSP3-277 技术参数

BSP324L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:154pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP324H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:154pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP324 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:154pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP322PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 380μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:372pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP322PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 380μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:372pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327 BSP373L6327HTSA1 BSP373NH6327XTSA1 BSP41,115 BSP43,115 BSP452 E6327 BSP452HUMA1 BSP50 BSP50,115 BSP50E6327HTSA1 BSP50H6327XTSA1 BSP51 BSP51,115