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BSO035N03

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
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  • BSO035N03
    BSO035N03

    BSO035N03

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

  • 50

  • Infineon

  • SOP8

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势现货

  • BSO035N03
    BSO035N03

    BSO035N03

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8277481983249326

    地址:销售一部:华强北上步工业区501栋401室 销售二部:深圳市福田区红荔路上航大厦411室

    资质:营业执照

  • 17300

  • Infineon

  • SOP8

  • 20+

  • -
  • ★★一级分销商,原装正品

  • BSO035N03
    BSO035N03

    BSO035N03

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Infineon

  • SOP8

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品,质量保障

  • BSO035N03
    BSO035N03

    BSO035N03

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 290

  • INFINEON

  • SOP8

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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BSO035N03 技术参数
  • BSO033N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 22A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9600pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W (Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO033N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 22A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9600pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSN304,126 功能描述:MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 250mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSN254A,126 功能描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSN254,126 功能描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1
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