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BSM50GB120DN2/BSM50GB120DN1

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BSM50GB120DN2/BSM50GB120DN1 技术参数

BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:* 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:4 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C