BSD２５４Ａ

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BSD254A
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
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22+
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行业低价，代理渠道

BSD254A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
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BSD２５４Ａ技术参数

BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A