您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BSC159N10LSFGXT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G

BSC159N10LSFGXT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSC159N10LSFGXT PDF下载

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

BSC159N10LSFGXT 技术参数

BSC159N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC159N10LSF G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC152N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC150N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 基本零件编号:BSC150N03 标准包装:1 BSC150N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1