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BSC159N10LSFG

配单专家企业名单
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  • BSC159N10LSFG
    BSC159N10LSFG

    BSC159N10LSFG

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • BSC159N10LSFG
    BSC159N10LSFG

    BSC159N10LSFG

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6000

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 23+

  • -
  • 百分百进口原装环保整盘

  • BSC159N10LSFG
    BSC159N10LSFG

    BSC159N10LSFG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • SO-8

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BSC159N10LSFGATMA1
    BSC159N10LSFGATMA1

    BSC159N10LSFGATMA1

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 6000

  • 英飞凌

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • BSC159N10LSFG
    BSC159N10LSFG

    BSC159N10LSFG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • INFINEON

  • .

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BSC159N10LSFG
    BSC159N10LSFG

    BSC159N10LSFG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • BSC159N10LSFGATMA1
    BSC159N10LSFGATMA1

    BSC159N10LSFGATMA1

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TDSON-8

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • BSC159N10LSFGATMA1
    BSC159N10LSFGATMA1

    BSC159N10LSFGATMA1

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共21条 
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
BSC159N10LSFG 技术参数
  • BSC159N10LSF G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15.9 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC152N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15.2 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC150N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 基本零件编号:BSC150N03 标准包装:1 BSC150N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 标准包装:1 BSC13DN30NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2450pF @ 150V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 16A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G
配单专家

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