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BSC025N03MSGATMA1

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

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    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 晶体管

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 原厂封装

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  • BSC025N03MSGATMA1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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    电话:18724450645

    地址:中国上海

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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    联系人:王小姐

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

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  • 深圳市百润电子有限公司
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

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    资质:营业执照

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  • BSC025N03MSGATMA1
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  • 科创特电子(香港)有限公司
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC025N03MSGATMA1 技术参数
  • BSC025N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6100pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC024NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),48W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC024NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 12V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC024N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6530pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC022N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1
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