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B82442T1106K050

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  • B82442T1106K050
    B82442T1106K050

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 功能描述
  • 固定电感器 10mH 81mA 10% 5.6x5mm SMD
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 电感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流电流
  • 1 A
  • 最大直流电阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作温度范围
  • - 40 C to + 85 C
  • 自谐振频率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82442T1106K050 技术参数
  • B82442T1106J50 功能描述:10mH Unshielded Wirewound Inductor 46mA 112 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10mH 容差:±5% 额定电流:46mA 电流 - 饱和值:81mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):112 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 79.6kHz 频率 - 自谐振:500MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:79.6kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1,500 B82442T1105K50 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 9.5 Ohm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1mH 容差:±10% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:246mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):9.5 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:30 @ 252kHz 频率 - 自谐振:1.8MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:252kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220(5650 公制) 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.209"(5.30mm) 标准包装:1 B82442T1104K50 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 510mA 990 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100μH 容差:±10% 额定电流:510mA 电流 - 饱和值:760mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):990 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:20 @ 796kHz 频率 - 自谐振:6.1MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:796kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220(5650 公制) 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.209"(5.30mm) 标准包装:1 B82442T1103K50 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 1.42A 132 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±10% 额定电流:1.42A 电流 - 饱和值:2.28A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):132 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:15 @ 2.52MHz 频率 - 自谐振:19MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220(5650 公制) 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.209"(5.30mm) 标准包装:1 B82442T1102M50 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 3.51A 25 mOhm Max 2-SMD, J-Lead 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.51A 电流 - 饱和值:7.33A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):25 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:15 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:111MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 大小/尺寸:0.220" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.209"(5.30mm) 标准包装:1 B82442T1152M50 B82442T1153K50 B82442T1154K050 B82442T1154K50 B82442T1155J50 B82442T1155K050 B82442T1155K50 B82442T1183K050 B82442T1183K50 B82442T1184K050 B82442T1184K50 B82442T1185J50 B82442T1185K050 B82442T1185K50 B82442T1222M50 B82442T1223K50 B82442T1224K50 B82442T1225J50
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